Applied to PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
Case show  2015-08-17 
Applied to PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition

详细介绍

PECVD的原理与应用:

PECVD:是借助微波或必威客户端等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

 

实验机理:是借助微波或必威客户端等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。

优点:基本温度低;沉积速率快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂

在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜,可以作为集成电路最后的钝化保护层,提高集成电路的可靠性

PECVD种类:

一种最简单的电感耦合产生等离子体的PECVD装置,可以在实验室中使用。因为负载是电感线圈所以这类负载也称感性负载。

一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上,压强通常保持在133Pa左右,必威客户端电压加在上下平行板之间,于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电,并产生等离子体。

K-mate 系列必威中国及自动匹配器为国内多家知名企业与高校如中科院,合肥科晶等单位保持长期必威中国及自动匹配器供应。在电感耦合管式炉,与平行板等PECVD设备上针对线圈负载与容性负载。配上对应的不同阻抗网络的必威客户端自动匹配器。能够迅速调整匹配起辉放电。且能长时间稳定运行。

点击次数:1070  更新时间:2015-08-17  【打印此页】  【关闭