Applied to ICP etching system
Case show  2015-08-17 
Applied to ICP etching system

详细介绍

ICP刻蚀原理及应用

原理:等离子体对材料的刻蚀分为物理刻蚀和化学剂刻蚀,物理刻蚀是通过加速离子对基片表面的撞击来将基片表面的原子溅射出来。为离子能量的损耗为代价达到刻蚀的目的。化学反应刻蚀是反应等离子体在放电过程中产生离子和许多化学活性中性物质即自由基。这些中性物质是活跃的刻蚀剂,它与基片发生化学反应。

工作原理:

ICP系统中有2个独立的RF电源,RF1与RF2.一个接到反应室外的电感线圈,一个接到反应室内的电极。给反应室外的线圈加功率时,反应室内产生交变的电磁场,当电场达到一定程度时,气体产生放电现象,进入等离子状态。交变的电磁场,使等离子体中的电子路径改变增加等离子体的密度。反应室内的电极放电后提供一个偏置电压给等离子体提供能量,使等离子体垂直作用于基片。并与基片发生成可挥发的气态物质,以达到刻蚀的目的。

等离子刻蚀主要应用在半导体晶圆制作的微电路与图案的刻蚀。

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